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Die nächsten Speichergeneration stehen vor der Tür und es wird sich wieder einmal einiges verbessern bzw. ändern. MRAM bedeutet Magneto-resistive Random Access Memory und ist eine kleine Revolution in der Speichertechnik. MRAM Speicher sind Bausteine die nicht-flüchtig, schnell, stromsparend sind und hohe Integrationsdichte erreichen können. Ein MRAM-Chip besteht aus Hunderttausenden einzelner Speicherzellen, die jeweils zwei magnetische Elektroden enthalten: Eine davon besitzt ein unveränderliches Magnetfeld, die andere kann ihre magnetische Polarisation verändern. Zwischen den gekreuzten Elektroden befindet sich eine sehr dünne magnetische Schicht. In dieser dünnen Schicht hat die Magnetisierungsrichtung der oberen und unteren Elektrode einen messbaren Einfluss auf den elektrischen Widerstand. Letzterer repräsentiert die binäre Zahl, die die Zelle speichert - also entweder 1 oder 0. Die Speicherarten Flash, EEPROM, und Fram speichern den Inhalt zwar ebenfalls stromlos. Flash und EEPROM Chips sind sehr langsam im Zugriff und benötigen mehr Platz als MRAMs und können nur bis zu einer Million Mal beschrieben werden.Dram, Sram können bis zu 1 Billiarde beschrieben werden. In naher Zukunft währe es sogar möglich Festplatten mit MRAM zu realisieren, die ein geladenes Betriebssystem in jedem Zustand speichern und so den heute üblichen Bootvorgang überflüssig machen. Führend in der MRAM Forschung ist die Firma Freescale. Bis wann sich MRAM durchsetzen wird bleibt fraglich. Meiner Einschätzung nach nicht vor dem Jahr 2010. Mehr Infos und News über die revolutionierende Speichertechnologie MRAM unter: http://www.mram-memory.eu
Name: Erich Strasser
E-Mail: oleddisplay@gmail.com
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